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正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应
其他题名STUDY OF DOPING EFFECT OF Nb IN TiAl ALLOY BY POSITRON ANNIHILATION SPECTRUM
张兰芝; 王宝义; 王丹妮; 魏龙; 林均品; 王文俊
2007
发表期刊金属学报
期号3页码:269-272
通讯作者张兰芝
其他摘要利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti_(51)Al_(49)合金中Nb的掺杂效应.结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加.
关键词正电子湮没寿命 二维符合Doppler TiAl合金
项目资助者国家自然科学基金项目10275076和10475096资助~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222535
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张兰芝,王宝义,王丹妮,等. 正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应[J]. 金属学报,2007(3):269-272.
APA 张兰芝,王宝义,王丹妮,魏龙,林均品,&王文俊.(2007).正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应.金属学报(3),269-272.
MLA 张兰芝,et al."正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应".金属学报 .3(2007):269-272.
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