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国产GSO晶体的光产额测量
其他题名Measuring of light yield for GSO crystal produced in China
章志明; 李道武; 王宝义; 张天保; 魏龙
2007
发表期刊核电子学与探测技术
期号4页码:727-729
通讯作者章志明
其他摘要采用与单光电子相比较的方法测量了国产GSO晶体样品的光电子产额,结果表明,GSO样品的光电子产额及能量分辨率与闪烁体在光电倍增管光阴极面上的放置方式有关,在较好条件下,被测GSO晶体的光电子产额可到2013phe/MeV,对137Cs 661.6keV光峰的能量分辩为FWHM=10.1%。
关键词GSO晶体 光产额 单光电子
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222509
专题多学科研究中心
核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
章志明,李道武,王宝义,等. 国产GSO晶体的光产额测量[J]. 核电子学与探测技术,2007(4):727-729.
APA 章志明,李道武,王宝义,张天保,&魏龙.(2007).国产GSO晶体的光产额测量.核电子学与探测技术(4),727-729.
MLA 章志明,et al."国产GSO晶体的光产额测量".核电子学与探测技术 .4(2007):727-729.
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