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掺杂对FeS_2薄膜光电性能的影响
其他题名EFFECTS OF DOPING IMPURITES IN PYRITE FILMS ON THE OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES
张辉; 张仁刚; 万冬云; 王宝义; 魏龙
2006
发表期刊太阳能学报
期号5页码:423-427
通讯作者张辉
其他摘要采用磁控溅射淀积合金膜和纯铁膜,通过离子注入掺杂,研究了不同条件下FeS2薄膜的晶体结构,光吸收系数、电阻率、载流子浓度等光电性能,并用正电子湮灭谱研究了膜内的空位缺陷。结果表明,掺杂提高了薄膜的导电性能。离子注入使薄膜光吸收系数增加,禁带宽度上升,霍尔迁移率提高;合金溅射导致光吸收系数降低,禁带宽度下降,载流子浓度升高。注入Zn2+退火前空位浓度较大,退火后空位浓度低于纯FeS2膜。
关键词太阳电池 FeS2薄膜 掺杂 光电性能 正电子湮灭谱
项目资助者国家自然科学基金项目(10275076)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222437
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张辉,张仁刚,万冬云,等. 掺杂对FeS_2薄膜光电性能的影响[J]. 太阳能学报,2006(5):423-427.
APA 张辉,张仁刚,万冬云,王宝义,&魏龙.(2006).掺杂对FeS_2薄膜光电性能的影响.太阳能学报(5),423-427.
MLA 张辉,et al."掺杂对FeS_2薄膜光电性能的影响".太阳能学报 .5(2006):423-427.
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