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正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析
其他题名Analysis of 3γ/2γ Ratio in the Measurement of Positron Annihilation Doppler-Broadening Spectroscopy
周春兰; 张天保; 马创新; 章志明; 曹兴忠; 王宝义; 魏龙
2006
发表期刊高能物理与核物理
期号1页码:84-87
通讯作者魏龙
其他摘要在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Geγ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱, 对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限.例如,当电子与正电子在材料中形成电 子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂.本工作在对多普 勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I3γ参数,建立了从能谱中获得I3γ 参数值的方法。以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I3γ参数计算,工作表明新参数对研究 介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息.
关键词慢正电子柬流 孔隙 电子偶素 介孔材料 薄膜
项目资助者国家自然科学基金(10275076,10275077)资助~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222405
专题多学科研究中心
核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
周春兰,张天保,马创新,等. 正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析[J]. 高能物理与核物理,2006(1):84-87.
APA 周春兰.,张天保.,马创新.,章志明.,曹兴忠.,...&魏龙.(2006).正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析.高能物理与核物理(1),84-87.
MLA 周春兰,et al."正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析".高能物理与核物理 .1(2006):84-87.
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