脉冲慢正电子束流的直流化装置
魏存峰; 王宝义; 王平; 曹兴忠; 章志明; 马雁云; 薛德胜; 魏龙
刊名高能物理与核物理
2006
期号10页码:1010-1013
关键词彭宁离子阱 直流化 慢正电子束流 正电子湮没
其他题名A Device Used in Pulsed Slow Positron Beam's Stretching
通讯作者魏存峰 ; 魏龙
中文摘要在基于加速器的北京慢正电子强束流装置上,用Penning-Trap技术实现了脉冲慢正电子束流的存储和直流化.实验表明,系统的真空度对正电子的存储效率有严重影响,脉冲正电子的释放方式决定了直流化后束流的能量分散;改变释放级信号波形以及释放方式可以得到能量分散小于1eV的准直流化慢正电子束流.
项目资助者国家自然科学基金(10475096,10575112)资助~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222403
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_中国散裂中子源
中国科学院高能物理研究所_核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
魏存峰,王宝义,王平,等. 脉冲慢正电子束流的直流化装置[J]. 高能物理与核物理,2006(10):1010-1013.
APA 魏存峰.,王宝义.,王平.,曹兴忠.,章志明.,...&魏龙.(2006).脉冲慢正电子束流的直流化装置.高能物理与核物理(10),1010-1013.
MLA 魏存峰,et al."脉冲慢正电子束流的直流化装置".高能物理与核物理 .10(2006):1010-1013.
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