孤立分散在SiO_2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究
陈栋梁; 吴自玉; 韦世强
刊名高能物理与核物理
2006
期号5页码:476-480
关键词InSb纳米颗粒 界面效应 MS-XANES计算
其他题名MS-XANES Studies on the Interface Eect of Semiconductor InSb Nanoparticles Embedded in a-SiO2 Matrix
通讯作者吴自玉
中文摘要利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应,结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是:1.SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布;2.通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数.这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰强度的增大.此外,由于纳米颗粒的界面效应,仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加,并依此通过白线峰的强度计算吸...
项目资助者国家自然科学基金纳米重大研究计划(90206032) 国家杰出青年基金(10125523) 中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-SW-N11)资助~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222400
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
陈栋梁,吴自玉,韦世强. 孤立分散在SiO_2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究[J]. 高能物理与核物理,2006(5):476-480.
APA 陈栋梁,吴自玉,&韦世强.(2006).孤立分散在SiO_2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究.高能物理与核物理(5),476-480.
MLA 陈栋梁,et al."孤立分散在SiO_2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究".高能物理与核物理 .5(2006):476-480.
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