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快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究
其他题名Investigation of the acceptor and donor in fast neutron irradiated Czochralski silicon
李养贤; 杨帅; 陈贵峰; 马巧云; 牛萍娟; 陈东风; 李洪涛; 王宝义
2005
发表期刊物理学报
期号4页码:1783-1787
其他摘要通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化 .经快中子辐照 ,直拉硅样品的导电类型由n型转变为p型 .在 4 5 0和6 0 0℃热处理出现两种受主中心 ,分别由V2 O2 ,V2 O ,VO2 ,V O V及V4 型缺陷引起 ,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加 ;大于 6 5 0℃热处理这些受主态缺陷迅速消失 ,样品的载流子迁移率及载流子类型开始恢复 ,并出现一种与辐照相关的施主态缺陷 ,导致样品的电子浓度增加 ,电阻率迅速下降 .这种施主态缺陷的浓度在 75 0℃热处理达到最大 ,并在...
关键词快中子辐照 空位型缺陷 受主 施主
项目资助者国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 ,5 0 472 0 3 4) ; 河北省自然科学基金 (批准号 :60 10 17,E2 0 0 5 0 0 0 0 48)资助的课题~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222329
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李养贤,杨帅,陈贵峰,等. 快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究[J]. 物理学报,2005(4):1783-1787.
APA 李养贤.,杨帅.,陈贵峰.,马巧云.,牛萍娟.,...&王宝义.(2005).快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究.物理学报(4),1783-1787.
MLA 李养贤,et al."快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究".物理学报 .4(2005):1783-1787.
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