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不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性
其他题名The properties of the as-sputtered ZnO films under different deposition parameters after sulfidation
张仁刚; 王宝义; 张辉; 马创新; 魏龙
2005
发表期刊物理学报
期号5页码:2389-2393
通讯作者魏龙
其他摘要采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后将它们在H2 S气流中硫化得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)和UV VIS透过光谱对ZnS薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,该ZnS薄膜为六角晶体结构 ,沿 (0 0 2 )晶面择优取向生长 ,其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar O2 流量比密切相关 .当气压高于 1Pa时 ,得到厚度很小的ZnS薄膜 ;而气压低于 1Pa时 ,沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS .另外 ,当Ar O2 流量比低于 4∶1或高于 4∶1时 ,结晶状态都会变差 .此外 ,由于ZnS薄膜具有高的沿 (0...
关键词ZnS薄膜 磁控溅射 ZnO硫化 太阳电池
项目资助者国家自然科学基金 (批准号 :10 2 75 0 77)资助的课题 .~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222327
专题多学科研究中心
核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张仁刚,王宝义,张辉,等. 不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性[J]. 物理学报,2005(5):2389-2393.
APA 张仁刚,王宝义,张辉,马创新,&魏龙.(2005).不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性.物理学报(5),2389-2393.
MLA 张仁刚,et al."不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性".物理学报 .5(2005):2389-2393.
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