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ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响
其他题名Influence of annealing conditions of ZnO films on the properties of ZnS films prepared by sulfurizing ZnO films
王宝义; 张仁刚; 张辉; 万冬云; 魏龙
2005
发表期刊物理学报
期号4页码:1874-1878
通讯作者王宝义
其他摘要采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后经过不同条件退火和在H2 S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV—VIS分光光度计对ZnS薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退火条件 .真空和纯O2 中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS .而在空气和纯N2 中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS ,在可见光范围内的光透过率可达约 80 % ,禁带宽度分别为 3 6 6和 3 6 1eV .ZnO薄膜的富氧、贫氧和近化学计量比状态是导致其硫化后性质差异的主要原因 .
关键词ZnS薄膜 磁控溅射 ZnO硫化 太阳电池
项目资助者国家自然科学基金 (批准号 :10 2 75 0 76)资助的课题~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222326
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王宝义,张仁刚,张辉,等. ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响[J]. 物理学报,2005(4):1874-1878.
APA 王宝义,张仁刚,张辉,万冬云,&魏龙.(2005).ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响.物理学报(4),1874-1878.
MLA 王宝义,et al."ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响".物理学报 .4(2005):1874-1878.
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