ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响
王宝义; 张仁刚; 张辉; 万冬云; 魏龙
刊名物理学报
2005
期号4页码:1874-1878
关键词ZnS薄膜 磁控溅射 ZnO硫化 太阳电池
其他题名Influence of annealing conditions of ZnO films on the properties of ZnS films prepared by sulfurizing ZnO films
通讯作者王宝义
中文摘要采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后经过不同条件退火和在H2 S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV—VIS分光光度计对ZnS薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退火条件 .真空和纯O2 中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS .而在空气和纯N2 中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS ,在可见光范围内的光透过率可达约 80 % ,禁带宽度分别为 3 6 6和 3 6 1eV .ZnO薄膜的富氧、贫氧和近化学计量比状态是导致其硫化后性质差异的主要原因 .
项目资助者国家自然科学基金 (批准号 :10 2 75 0 76)资助的课题~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222326
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王宝义,张仁刚,张辉,等. ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响[J]. 物理学报,2005(4):1874-1878.
APA 王宝义,张仁刚,张辉,万冬云,&魏龙.(2005).ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响.物理学报(4),1874-1878.
MLA 王宝义,et al."ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响".物理学报 .4(2005):1874-1878.
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