SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响
王小波; 刘渝珍; 奎热西; 董立军; 陈大鹏
刊名发光学报
2005
期号4页码:502-506
关键词纳米硅镶嵌结构 SiNx膜 光致发光 低压化学气相沉积
其他题名Photolum inescence Properties of Silicon-r ich SiNx Films Deposited from the SiH2C l2 -NH3 Reactant Mixture in LPCVD
中文摘要低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-S iNx∶H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1~3个高强度的可见荧光。在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的S iH2C l2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化。通过TEM、IR、XPS等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱。
项目资助者中国科学院院长基金特别资助项目(936)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222259
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王小波,刘渝珍,奎热西,等. SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响[J]. 发光学报,2005(4):502-506.
APA 王小波,刘渝珍,奎热西,董立军,&陈大鹏.(2005).SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响.发光学报(4),502-506.
MLA 王小波,et al."SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响".发光学报 .4(2005):502-506.
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