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低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文)
其他题名Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on ( 001) GaAs Substrate
沈晓明; 王玉田; 王建峰; 刘建平; 张纪才; 郭立平; 贾全杰; 姜晓明; 胡正飞; 杨辉; 梁骏吾
2005
发表期刊半导体学报
期号4页码:645-650
其他摘要采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN 薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}φ扫描中发现了异常的Bragg衍射峰,表明GaN/GaAs(001)低温生长中孪晶现象非常明显.GaAs(001)表面上出现的{111}小面极性会在生长初期影响孪晶成核,实验结果表明孪晶更易在{111}B面即N面上成核.
关键词X射线衍射 金属有机物化学气相沉积 氮化物
项目资助者国家博士后科学基金(批准号:2003034271) ; 国家自然科学基金(批准号:69825107)资助项目~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222246
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
沈晓明,王玉田,王建峰,等. 低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文)[J]. 半导体学报,2005(4):645-650.
APA 沈晓明.,王玉田.,王建峰.,刘建平.,张纪才.,...&梁骏吾.(2005).低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文).半导体学报(4),645-650.
MLA 沈晓明,et al."低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文)".半导体学报 .4(2005):645-650.
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