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Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜
其他题名Study of Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thin Films Prepared on p-Si Substrates by Sol-Gel Method
郭冬云; 王耘波; 于军; 李建军; 周春兰; 王雨田; 魏龙
2004
发表期刊压电与声光
期号3页码:228-230
其他摘要介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=12μC/cm2,矫顽场强Ec=130kV/cm。
关键词Sol-Gel法 Bi4Ti3O12 铁电薄膜
项目资助者国家自然科学基金资助项目(60171012) ; 中科院核分析技术开放实验室基金资助项目(K-96)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222209
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
郭冬云,王耘波,于军,等. Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜[J]. 压电与声光,2004(3):228-230.
APA 郭冬云.,王耘波.,于军.,李建军.,周春兰.,...&魏龙.(2004).Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜.压电与声光(3),228-230.
MLA 郭冬云,et al."Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜".压电与声光 .3(2004):228-230.
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