热释发光-正电子湮灭法研究SrAl_2O_4基磷光体长余辉发光机制
林元华; 南策文; 张中太; 王雨田
刊名无机材料学报
2004
期号1页码:201-206
关键词热释发光 正电子湮灭 长余辉 陷阱能级
其他题名Long Afterglow Luminescence Mechanism of SrAl2O4-based Phosphor by the Thermoluminescence and Positron Annihilation Method
中文摘要利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0.94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介...
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222196
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
林元华,南策文,张中太,等. 热释发光-正电子湮灭法研究SrAl_2O_4基磷光体长余辉发光机制[J]. 无机材料学报,2004(1):201-206.
APA 林元华,南策文,张中太,&王雨田.(2004).热释发光-正电子湮灭法研究SrAl_2O_4基磷光体长余辉发光机制.无机材料学报(1),201-206.
MLA 林元华,et al."热释发光-正电子湮灭法研究SrAl_2O_4基磷光体长余辉发光机制".无机材料学报 .1(2004):201-206.
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