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氧化钨薄膜变色机理研究
其他题名STUDIES ON CHROMOGENIC MECHNISM OF TUNGSTEN OXIDE THIN FILMS
马创新; 周春兰; 秦秀波; 王宝义; 魏龙; 奎热西; 钱海杰; 苏润; 钟俊
2004
发表期刊核技术
期号12页码:943-945
通讯作者马创新
其他摘要利用慢正电子束流技术和X射线光电子能谱研究了热致变色和电致变色三氧化钨(WO_3)薄膜中W离子在膜内和表面的分布。结合其变色性能,讨论了热致变色和电致变色之间的相关性。
关键词三氧化钨 热致变色 电致变色 机理 表面
项目资助者国家自然科学基金(No.10275076,10275077)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222168
专题多学科研究中心
核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
马创新,周春兰,秦秀波,等. 氧化钨薄膜变色机理研究[J]. 核技术,2004(12):943-945.
APA 马创新.,周春兰.,秦秀波.,王宝义.,魏龙.,...&钟俊.(2004).氧化钨薄膜变色机理研究.核技术(12),943-945.
MLA 马创新,et al."氧化钨薄膜变色机理研究".核技术 .12(2004):943-945.
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