硫化法制备FeS_2薄膜晶体结构和表面特性的研究
张辉; 王宝义; 张仁刚; 万冬云; 马创新; 周春兰; 魏龙
刊名核技术
2004
期号12页码:939-942
关键词磁控溅射 热硫化 二硫化铁 X射线光电子能谱
其他题名STUDY ON STRUCTURAL AND SURFACE PROPERTIES OF FeS2 THIN FILMS PREPARED BY SULFIDATION
通讯作者张辉
中文摘要采用磁控溅射方法在Si(100)衬底上淀积纯铁薄膜,在不同温度下(200—400℃)硫化10h得到FeS_2薄膜,并对其进行晶体结构和表面成分分析。X射线光电子能谱(XPS)研究表明:低温硫化时易生成硫单质相,随温度的升高,S单质相部分参加反应变为FeS_2相,FeS_2的S_2p峰出现在低能位置,而遗留的单质S的S2p束缚能位置不变。卢瑟福背散射(RBS)测得400℃时薄膜中元素Fe/S接近FeS_2的理想化学计量比。
项目资助者国家自然科学基金(10275076)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222159
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张辉,王宝义,张仁刚,等. 硫化法制备FeS_2薄膜晶体结构和表面特性的研究[J]. 核技术,2004(12):939-942.
APA 张辉.,王宝义.,张仁刚.,万冬云.,马创新.,...&魏龙.(2004).硫化法制备FeS_2薄膜晶体结构和表面特性的研究.核技术(12),939-942.
MLA 张辉,et al."硫化法制备FeS_2薄膜晶体结构和表面特性的研究".核技术 .12(2004):939-942.
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