界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响
张爱梅; 吴小山; 孙亮; 蔡宏灵; 杜军; 胡安; 蒋树声; 谭伟石; 黄军平; 罗广圣; 陈中军; 陈兴; 孙民华; 吴忠华
刊名核技术
2004
期号7页码:485-488
关键词NiO自旋阀 X射线镜面反射和散射 界面粗糙度
其他题名EFFECT OF INTERFACIAL ROUGHNESS ON MAGNETORESISTANCE OF Co/Cu/Co/NiO SPIN VALVE
中文摘要用磁控溅射方法制备了一系列含NiO反铁磁层的Co/Cu/Co自旋阀结构。电磁输运测量表明,对相同Co/Cu/Co结构的自旋阀,NiO在自旋阀的顶部(TSV)和在自旋阀的底部(BSV)表现了不同的磁电阻值和热稳定特性。X射线镜面反射和横向漫散射测量证明小的界面粗糙度是导致磁电阻增大的主要原因,而Co与NiO层间的耦合减弱将导致MR减小,两者共同的作用决定了含NiO的自旋阀的磁电阻。我们由此设计实验将:BSV自旋阀的磁电阻值提高近1倍,即达到-12%,而对称自旋阀的磁电阻则提高到15%。
项目资助者国家自然科学基金资助项目(No.10174030,90201039) ; 国家重大基础研究973项目(001CB610602)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222156
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_粒子天体物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张爱梅,吴小山,孙亮,等. 界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响[J]. 核技术,2004(7):485-488.
APA 张爱梅.,吴小山.,孙亮.,蔡宏灵.,杜军.,...&吴忠华.(2004).界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响.核技术(7),485-488.
MLA 张爱梅,et al."界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响".核技术 .7(2004):485-488.
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