X射线光刻技术应用现状与前景
谢常青; 陈大鹏; 刘明; 叶甜春; 伊福廷
刊名核技术
2004
期号12页码:904-908
关键词接近式X射线光刻 纳米电子学 单片微波集成电路 硅基超大规模集成电路
其他题名APPLICATION STATUS AND PROSPECT OF X-RAY LITHOGRAPHY TECHNOLOGY
中文摘要鉴于接近式X射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展到50nm及50nm以下规则等诸多优点,它非常适合应用于100nm及100nm以下集成电路的生产。本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术(PXL)现状,再分别介绍X射线光刻技术在纳米电子学研究、单片微波集成电路(MMIC)生产、硅基超大规模集成电路生产中的应用现状与前景,并对国内的X射线光刻技术的近期研究进展进行了简要介绍。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222141
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心
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GB/T 7714
谢常青,陈大鹏,刘明,等. X射线光刻技术应用现状与前景[J]. 核技术,2004(12):904-908.
APA 谢常青,陈大鹏,刘明,叶甜春,&伊福廷.(2004).X射线光刻技术应用现状与前景.核技术(12),904-908.
MLA 谢常青,et al."X射线光刻技术应用现状与前景".核技术 .12(2004):904-908.
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