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Ge/Si(001)量子点组分的掠入射X射线反常衍射测量
其他题名Composition in Ge/Si ( 001 ) quantum dots directly measured by grazing incidence X-ray anomalous scattering/diffraction
何庆; 贾全杰; 姜晓明
2004
发表期刊核技术
期号6页码:409-412
通讯作者何庆
其他摘要利用掠入射X射线反常散射/衍射实验技术对Si(001)上生长的单层和双层Ge量子点的组分分布进行了直接测量;;结果显示;;在Si间隔层厚度为90nm时得到的双层Ge量子点与单层Ge量子点的组分及其分布特征是几乎相同的。
关键词组分 量子点 掠入射X射线反常衍射
项目资助者国家自然科学基金(10174081)资助
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222135
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
何庆,贾全杰,姜晓明. Ge/Si(001)量子点组分的掠入射X射线反常衍射测量[J]. 核技术,2004(6):409-412.
APA 何庆,贾全杰,&姜晓明.(2004).Ge/Si(001)量子点组分的掠入射X射线反常衍射测量.核技术(6),409-412.
MLA 何庆,et al."Ge/Si(001)量子点组分的掠入射X射线反常衍射测量".核技术 .6(2004):409-412.
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