50 nm X射线光刻掩模制备关键技术
董立军; 陈大鹏; 谢常青; 韩敬东; 叶甜春; 伊福廷; 彭良强; 韩勇; 张菊芳
刊名核技术
2004
期号2页码:96-98
关键词X射线光刻 掩模 金刚石 吸收体 键合
其他题名Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography
中文摘要X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线,是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言,XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等,是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺,因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm XRL 的掩模制备的关键技术。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222131
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
董立军,陈大鹏,谢常青,等. 50 nm X射线光刻掩模制备关键技术[J]. 核技术,2004(2):96-98.
APA 董立军.,陈大鹏.,谢常青.,韩敬东.,叶甜春.,...&张菊芳.(2004).50 nm X射线光刻掩模制备关键技术.核技术(2),96-98.
MLA 董立军,et al."50 nm X射线光刻掩模制备关键技术".核技术 .2(2004):96-98.
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