MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究
郭冬云; 王耘波; 于军; 王雨田; 王宝义; 魏龙
刊名功能材料
2004
期号2页码:180-182
关键词MFS结构 钛酸铋薄膜 C-V特性
其他题名Study of the C-V characteristics of the In/ Bi4Ti3O12/ p-Si structure
中文摘要 利用sol gel方法在p Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In/BTO/p Si结构的C V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。
项目资助者国家自然科学基金资助项目(60171012)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222118
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
郭冬云,王耘波,于军,等. MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究[J]. 功能材料,2004(2):180-182.
APA 郭冬云,王耘波,于军,王雨田,王宝义,&魏龙.(2004).MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究.功能材料(2),180-182.
MLA 郭冬云,et al."MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究".功能材料 .2(2004):180-182.
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