用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅
孙加兴; 叶甜春; 陈大鹏; 谢常青; 伊福廷
刊名半导体学报
2004
期号3页码:358-360
关键词X射线光刻 PHEMT T型栅 三层胶工艺
其他题名Tri-Layer Resist Fabrication Technology of T-Shaped Gate Using X-Ray Lithography
中文摘要采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222097
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
孙加兴,叶甜春,陈大鹏,等. 用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅[J]. 半导体学报,2004(3):358-360.
APA 孙加兴,叶甜春,陈大鹏,谢常青,&伊福廷.(2004).用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅.半导体学报(3),358-360.
MLA 孙加兴,et al."用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅".半导体学报 .3(2004):358-360.
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