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利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)
其他题名A New Method for Fabrication of SU8 Structures with a High Aspect Ratio Using aMask-Back Exposure Technique
伊福廷; 缪鹏; 彭良强; 张菊芳; 韩勇
2004
发表期刊半导体学报
期号1页码:26-29
通讯作者伊福廷
其他摘要提出了一种解决大高宽比 SU 8结构的新方法 .该方法是将 SU 8胶涂在一块掩模上 ,紫外光从掩模的背面照射 ,这样 SU 8胶的曝光将从底部开始 ,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量 ,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力 .实验结果表明 ,该方法能够得到高宽比为 32的 SU 8结构 ,而文献报道的 SU 8胶结构的高宽比最大仅为 18
关键词MEMS SU8胶 微加工 背面曝光
项目资助者国家高技术研究发展计划 ( No.2 0 0 2 AA40 415 0 )资助项目~~
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222096
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
伊福廷,缪鹏,彭良强,等. 利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)[J]. 半导体学报,2004(1):26-29.
APA 伊福廷,缪鹏,彭良强,张菊芳,&韩勇.(2004).利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文).半导体学报(1),26-29.
MLA 伊福廷,et al."利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)".半导体学报 .1(2004):26-29.
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