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自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究
其他题名Free Electron Laser Irradiation Effects of GaAs/AlGaAs Quantum Wel ls
邹睿; 林理彬; 张猛; 张国庆; 李永贵
2003
发表期刊中国激光
期号9页码:852-854
其他摘要利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响。用波长为 8 92μm ,光功率密度相应于电场强度为 2 0kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱 6 0min ,发现量子阱特征峰 797nm经过辐照后峰值发生红移至 812nm ,波形展宽 ,峰高降低。对此结果进行了讨论 ,并与电子辐照的情况做了比较。
关键词激光技术 量子阱 自由电子激光辐照 低温光荧光谱 红移
项目资助者国家自然科学基金 (编号 :6 0 0 880 2 ) ; 全国高校博士点基金资助项目
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222083
专题多学科研究中心
实验物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
邹睿,林理彬,张猛,等. 自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究[J]. 中国激光,2003(9):852-854.
APA 邹睿,林理彬,张猛,张国庆,&李永贵.(2003).自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究.中国激光(9),852-854.
MLA 邹睿,et al."自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究".中国激光 .9(2003):852-854.
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