自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响
张猛; 林理彬; 邹睿; 张国庆; 李永贵
刊名中国激光
2003
期号7页码:593-596
关键词激光技术 电学性质 自由电子激光 异质结构材料 二维电子气 辐照效应
其他题名INVESTIGATION OF ELECTRICITY PROPERTY OF GaAs/AlGaAs HETEROSTRUCTURE MATERIAL INFLUENCED BY FEL
中文摘要自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2DEG)的迁移率、电子浓度和电阻率。对比这两种情况下的结果可以发现:1)迁移率随温度升高而降低,光照使迁移率增大;2)电子浓度随温度变化关系相对较为复杂,但是平均而言,光照会使电子浓度减小;3)电阻率随温度升高而升高,光照使电阻率减小,但这种影响不明显。对这些现象给出了具体的分析。
项目资助者国家自然科学基金(基金号:6008802) ; 全国高校博士点基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222082
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_实验物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张猛,林理彬,邹睿,等. 自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响[J]. 中国激光,2003(7):593-596.
APA 张猛,林理彬,邹睿,张国庆,&李永贵.(2003).自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响.中国激光(7),593-596.
MLA 张猛,et al."自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响".中国激光 .7(2003):593-596.
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