IHEP OpenIR  > 多学科研究中心
利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究
其他题名The research of SU8 resist using UV lithography
伊福廷; 张菊芳; 彭良强; 韩勇
2003
发表期刊微纳电子技术
期号Z1页码:126-128+141
通讯作者伊福廷
其他摘要SU 8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用 ,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU 8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作 ,另一方面SU 8结构具有很好的侧面垂直结构 ,通过控制工艺参数 ,能够获得满意的SU 8胶结构。SU 8光刻胶已应用于LIGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作。在SU8胶研究过程中 ,克服了许多技术难题 ,使得这一技术能够应用到实际的需要中。
关键词MEMS 微结构 SU8 光刻
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222067
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
伊福廷,张菊芳,彭良强,等. 利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究[J]. 微纳电子技术,2003(Z1):126-128+141.
APA 伊福廷,张菊芳,彭良强,&韩勇.(2003).利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究.微纳电子技术(Z1),126-128+141.
MLA 伊福廷,et al."利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究".微纳电子技术 .Z1(2003):126-128+141.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
5028.pdf(188KB)期刊论文作者接受稿限制开放CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[伊福廷]的文章
[张菊芳]的文章
[彭良强]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[伊福廷]的文章
[张菊芳]的文章
[彭良强]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[伊福廷]的文章
[张菊芳]的文章
[彭良强]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。