半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究
邹睿; 林理彬; 张猛; 张国庆; 李永贵
刊名强激光与粒子束
2003
期号1页码:33-36
关键词量子阱 自由电子激光辐照 低温光荧光谱 红移 光瞬态电流谱
其他题名Study on GaAs/AlGaAs multiple quantum wells irradiated by free electron laser and OTCS measurement
中文摘要 利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低。分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化,对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较。
项目资助者国家自然科学基金资助课题(6008802) ; 全国高校博士点基金资助课题
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222059
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_实验物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
邹睿,林理彬,张猛,等. 半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究[J]. 强激光与粒子束,2003(1):33-36.
APA 邹睿,林理彬,张猛,张国庆,&李永贵.(2003).半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究.强激光与粒子束(1),33-36.
MLA 邹睿,et al."半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究".强激光与粒子束 .1(2003):33-36.
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