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x光纳米光刻掩模的离子束制备法
其他题名FABRICATION OF MASK FOR X-RAY NANOLITHOGRAPHY BY ION BEAM
韩勇; 彭良强; 巨新; 伊福廷; 张菊芳; 吴自玉
2002
发表期刊微纳电子技术
期号1页码:44-45
通讯作者韩勇
其他摘要重离子束轰击聚碳酸酯后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的铜纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的掩模。
关键词纳米光刻 纳米线 x光掩模
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221956
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
韩勇,彭良强,巨新,等. x光纳米光刻掩模的离子束制备法[J]. 微纳电子技术,2002(1):44-45.
APA 韩勇,彭良强,巨新,伊福廷,张菊芳,&吴自玉.(2002).x光纳米光刻掩模的离子束制备法.微纳电子技术(1),44-45.
MLA 韩勇,et al."x光纳米光刻掩模的离子束制备法".微纳电子技术 .1(2002):44-45.
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