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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变
其他题名Microstrain in modulation -doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures
谭伟石; 沙昊; 沈波; 蔡宏灵; 吴小山; 蒋树声; 郑文莉; 贾全杰; 姜晓明
2002
发表期刊核技术
期号10页码:799-804
其他摘要用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2 O3界面应变弛豫状态有关
关键词AlxGa1-xN/GaN异质结构 高分辨X射线衍射 微结构 应变 弛豫线模型
项目资助者国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 6 83) ; 国家自然科学基金 (6 0 136 0 2 0、6 9976 0 14等 ) ; 国家高科技 (86 3)发展计划资助
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221933
专题多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
谭伟石,沙昊,沈波,等. 调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变[J]. 核技术,2002(10):799-804.
APA 谭伟石.,沙昊.,沈波.,蔡宏灵.,吴小山.,...&姜晓明.(2002).调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变.核技术(10),799-804.
MLA 谭伟石,et al."调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变".核技术 .10(2002):799-804.
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