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几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究
其他题名Study of hard X-ray dose enhancement ef fects for some kinds of semiconductor devices
郭红霞; 韩福斌; 陈雨生; 周辉; 贺朝会; 谢亚宁; 黄宇营; 何伟; 胡天斗
2002
发表期刊核技术
期号10页码:811-816
其他摘要本文给出了大规模集成电路CMOS4 0 6 9、浮栅ROM器件在北京同步辐射装置 (BSRF)和钴源辐照的X射线剂量增强效应实验结果。通过实验在线测得CMOS4 0 6 9阈值电压漂移随总剂量的变化 ,测得 2 8f 2 5 6、2 9c2 5 6位错误数随总剂量的变化 ,给出相同累积剂量时X光辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系。这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值
关键词CMOS EEPROM X射线 剂量增强效应 同步辐射
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221928
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
郭红霞,韩福斌,陈雨生,等. 几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究[J]. 核技术,2002(10):811-816.
APA 郭红霞.,韩福斌.,陈雨生.,周辉.,贺朝会.,...&胡天斗.(2002).几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究.核技术(10),811-816.
MLA 郭红霞,et al."几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究".核技术 .10(2002):811-816.
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