横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究
冯淦; 郑新和; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾; 郑文莉; 贾全杰
刊名核技术
2002
期号10页码:770-774
关键词GaN 横向外延生长 晶面倾斜 晶粒度 同步辐射X光衍射
其他题名Synchrotron X-ray dif fraction analysis of epitaxial GaN layer laterally overgrown
中文摘要采用同步辐射X光衍射技术研究了α -Al2 O3(0 0 0 1)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN(0 0 0 1)晶面与窗口区的GaN(0 0 0 1)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半 ,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时 ,还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221926
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
冯淦,郑新和,王玉田,等. 横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究[J]. 核技术,2002(10):770-774.
APA 冯淦.,郑新和.,王玉田.,杨辉.,梁骏吾.,...&贾全杰.(2002).横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究.核技术(10),770-774.
MLA 冯淦,et al."横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究".核技术 .10(2002):770-774.
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