GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征
王勇; 贾海强; 王文充; 刘翠秀; 陈向明; 麦振洪; 郑文莉; 贾全杰; 姜晓明
刊名核技术
2002
期号10页码:775-778
关键词GaAs/AlAs/GaAs 氧化 微结构
其他题名Microstructure of GaAs/AlAs/GaAs with and without oxidation
中文摘要研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化。对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2 O3/GaAs薄膜 ,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征。结果表明 ,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中 ,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110 的均匀过渡层。AlAs层分成厚度为 4 0 和 10 5 0 的两层 ,而 4 0 厚的AlAs层的平均原子密度比 10 5 0 厚的减小。利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2 O3,而且与氧化前相比 ,其过渡层的厚度与粗糙度均减小。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221914
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
王勇,贾海强,王文充,等. GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征[J]. 核技术,2002(10):775-778.
APA 王勇.,贾海强.,王文充.,刘翠秀.,陈向明.,...&姜晓明.(2002).GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征.核技术(10),775-778.
MLA 王勇,et al."GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征".核技术 .10(2002):775-778.
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