共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu~(3+)到Eu~(2+)的转变
刘丰珍; 朱美芳; 刘涛; 李秉程
刊名物理学报
2001
期号3页码:532-535
关键词SiO_2(Eu)薄膜 XANES
其他题名THE TRANSITION FROM Eu3+ TO Eu2+ IN SiO2( Eu) THIN FILMS PREPARED BY ION IMPLANTATION AND CO-SPUTTERING
中文摘要采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2 方法得到SiO2 (Eu)薄膜 ,Eu离子的浓度为 4%和 0 .5 % .对样品X射线吸收近边结构 (XANES)的研究和分析表明 ,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2 +的转变 .SiO2 (Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221870
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘丰珍,朱美芳,刘涛,等. 共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu~(3+)到Eu~(2+)的转变[J]. 物理学报,2001(3):532-535.
APA 刘丰珍,朱美芳,刘涛,&李秉程.(2001).共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu~(3+)到Eu~(2+)的转变.物理学报(3),532-535.
MLA 刘丰珍,et al."共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu~(3+)到Eu~(2+)的转变".物理学报 .3(2001):532-535.
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