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一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究
其他题名Fabrication of Double Side Alignment Si LIGA;Mask
刘泽文; 刘理天; 伊福廷; 李志坚
2000
发表期刊微细加工技术
期号4页码:45-49
其他摘要深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的LIGA掩模技术 ,工艺十分简单。采用该掩模 ,可进一步解决深X射线光刻中的重复对准多次曝光问题。给出了该掩模设计制作工艺过程及深X射线光刻结果。整个过程包括沉淀氮化硅、采用KarlSuss双面对准曝光机进行UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用该掩模在北京BEPC的X射线光刻光束线上进行曝光 ,获得了满意结果。
关键词X射线 光刻 LIGA MEMS 掩模
项目资助者国家教委留学归国人员科研启动基金资助项目!( 980 331)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221795
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
刘泽文,刘理天,伊福廷,等. 一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究[J]. 微细加工技术,2000(4):45-49.
APA 刘泽文,刘理天,伊福廷,&李志坚.(2000).一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究.微细加工技术(4),45-49.
MLA 刘泽文,et al."一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究".微细加工技术 .4(2000):45-49.
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