阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究
刘键; 魏龙; 王辉耀; 马创新; 王宝义
刊名核技术
2000
期号6页码:376-380
关键词正电子湮没 扫描电子显微镜 多孔硅
其他题名PAT AND SEM STUDY OF POROUS SILICON FORMED BY ANODIZATION METHODS
通讯作者刘键
中文摘要用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明,随着阳极氧化时间的延长,平均寿命值增大,空位缺陷增多。长寿命(正电子素)成分较少。扫描电子显微镜显示,在阳极氧化过程中有尺寸为几um的单晶球形成。并观察到部分单晶球脱离后形成的微米坑。空位缺陷增多的原因可能是随着阳极氧化时间的延长,多孔硅结构向内层延伸增加了空位缺陷。但扫描电子显微镜的观察结果并不排除另一种可能:部分表面结构的变化增大了表面层的空位缺陷浓度。
项目资助者中国科学院重点基金!19805010
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221771
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘键,魏龙,王辉耀,等. 阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究[J]. 核技术,2000(6):376-380.
APA 刘键,魏龙,王辉耀,马创新,&王宝义.(2000).阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究.核技术(6),376-380.
MLA 刘键,et al."阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究".核技术 .6(2000):376-380.
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