P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用
戴慧莹; 靳涛; 崔明启; 黎刚
刊名核技术
2000
期号3页码:155-158
关键词InP K壳层X光吸收 损伤增强
其他题名DAMAGING ENHANCEMENT ON INP[100] SURFACE INDUCED BY K-SHELL PHOTOIONIZATION ABSORPTION OF PHOSPHORUS OR INDIUM
中文摘要用两组能量围绕P和InK壳层结合能上下的同步辐射单色X光对InP单晶[100]表面进行辐照。结果表明,无论X光子被P原子K壳层吸收还是被In原子K壳层吸收,InP单晶[100]表面P原子芯能级2P电子态变化明显。P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面辐射损伤增强因子分别为4.4x10-6kg/C和3.1x10-5kg/C
项目资助者国家自然科学基金!19575066
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221764
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
戴慧莹,靳涛,崔明启,等. P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用[J]. 核技术,2000(3):155-158.
APA 戴慧莹,靳涛,崔明启,&黎刚.(2000).P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用.核技术(3),155-158.
MLA 戴慧莹,et al."P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用".核技术 .3(2000):155-158.
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