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	P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用
其他题名	DAMAGING ENHANCEMENT ON INP[100] SURFACE INDUCED BY K-SHELL PHOTOIONIZATION ABSORPTION OF PHOSPHORUS OR INDIUM
	戴慧莹; 靳涛; 崔明启; 黎刚
	2000
发表期刊	核技术
期号	3页码:155-158
其他摘要	用两组能量围绕Ｐ和ＩｎＫ壳层结合能上下的同步辐射单色Ｘ光对ＩｎＰ单晶［１００］表面进行辐照。结果表明，无论Ｘ光子被Ｐ原子Ｋ壳层吸收还是被Ｉｎ原子Ｋ壳层吸收，ＩｎＰ单晶［１００］表面Ｐ原子芯能级２Ｐ电子态变化明显。Ｐ和Ｉｎ原子Ｋ壳层Ｘ光吸收对ＩｎＰ单晶表面辐射损伤增强因子分别为４．４ｘ１０－６ｋｇ／Ｃ和３．１ｘ１０－５ｋｇ／Ｃ
关键词	InP K壳层X光吸收 损伤增强
项目资助者	国家自然科学基金!19575066
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221764
专题	多学科研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	戴慧莹,靳涛,崔明启,等. P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用[J]. 核技术,2000(3):155-158.
APA	戴慧莹,靳涛,崔明启,&黎刚.(2000).P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用.核技术(3),155-158.
MLA	戴慧莹,et al."P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用".核技术 .3(2000):155-158.

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