| P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用 |
其他题名 | DAMAGING ENHANCEMENT ON INP[100] SURFACE INDUCED BY K-SHELL PHOTOIONIZATION ABSORPTION OF PHOSPHORUS OR INDIUM
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| 戴慧莹; 靳涛; 崔明启 ; 黎刚
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| 2000
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发表期刊 | 核技术
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期号 | 3页码:155-158 |
其他摘要 | 用两组能量围绕P和InK壳层结合能上下的同步辐射单色X光对InP单晶[100]表面进行辐照。结果表明,无论X光子被P原子K壳层吸收还是被In原子K壳层吸收,InP单晶[100]表面P原子芯能级2P电子态变化明显。P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面辐射损伤增强因子分别为4.4x10-6kg/C和3.1x10-5kg/C |
关键词 | InP
K壳层X光吸收
损伤增强
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项目资助者 | 国家自然科学基金!19575066
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221764
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专题 | 多学科研究中心
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
戴慧莹,靳涛,崔明启,等. P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用[J]. 核技术,2000(3):155-158.
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APA |
戴慧莹,靳涛,崔明启,&黎刚.(2000).P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用.核技术(3),155-158.
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MLA |
戴慧莹,et al."P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用".核技术 .3(2000):155-158.
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