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中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究
其他题名Study on Rapid Annealing Behavior of GaAs Defects Induced by Neutron Irradiation
刘键; 王佩璇; 张灶利
1999
发表期刊稀有金属
期号5页码:336-339
通讯作者刘键
其他摘要采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射( 沟道 R B S) 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ga As 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷 Ga As( Ev + 200 me V) 以及复合缺陷 I Ga - V As 。
关键词中子辐照 GaAs 缺陷
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221732
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘键,王佩璇,张灶利. 中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究[J]. 稀有金属,1999(5):336-339.
APA 刘键,王佩璇,&张灶利.(1999).中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究.稀有金属(5),336-339.
MLA 刘键,et al."中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究".稀有金属 .5(1999):336-339.
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