中子辐照GaAs的X射线漫散射研究
刘键; 王佩璇
刊名材料研究学报
1999
期号1页码:99-102
关键词中子辐照 GaAs X射线漫散射
其他题名STUDY OF NEUTRON IRRADIATED Si-GaAs BY X RAY DIFFUSE SCATTERING
通讯作者刘键
中文摘要用X射线漫散射研究了中子辐照GaAs中的缺陷.结果表明:中子辐照产生点缺陷团.辐照剂量为1019m-2和1021m-2时,缺陷团的平均半径分别为387nm和455nm.这可能是高剂量辐照下损伤区域交叠的结果.平均半径随退火温度的升高而减小是间隙原子与空位复合造成的.
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221690
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘键,王佩璇. 中子辐照GaAs的X射线漫散射研究[J]. 材料研究学报,1999(1):99-102.
APA 刘键,&王佩璇.(1999).中子辐照GaAs的X射线漫散射研究.材料研究学报(1),99-102.
MLA 刘键,et al."中子辐照GaAs的X射线漫散射研究".材料研究学报 .1(1999):99-102.
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