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热中子辐照 GaAs 损伤研究
其他题名INVESTIGATION ON RADIATION DAMAGE OF GaAs BY THERMAL NEUTRON IRRADIATION
夏宗璜; 刘士杰; 杨胜东
1998
发表期刊原子能科学技术
期号4页码:60-64
其他摘要在热中子与快中子成份比大于70的条件下,用6.5×1016cm-2和6.5×1018cm-2剂量水平辐照纯净GaAs样品,研究由于嬗变产生的杂质和损伤。所得结果表明:热中子对Ga、As发生俘获核反应,其最终稳定产物Ge作为两性杂质元素被导入;复杂的移位缺陷形成及其热行为是影响辐照后GaAs电学性质变化的重要因素。
关键词GaAs 热中子 辐照损伤
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221673
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
夏宗璜,刘士杰,杨胜东. 热中子辐照 GaAs 损伤研究[J]. 原子能科学技术,1998(4):60-64.
APA 夏宗璜,刘士杰,&杨胜东.(1998).热中子辐照 GaAs 损伤研究.原子能科学技术(4),60-64.
MLA 夏宗璜,et al."热中子辐照 GaAs 损伤研究".原子能科学技术 .4(1998):60-64.
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