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X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响
其他题名SURFACTANT EFFECTON THE STRUCTUREOF THIN Ge HETEROEPILAYERS STUDIED BY X-RAY DIFFRACTION
朱海军; 蒋最敏; 郑文莉; 姜晓明; 徐阿妹; 毛明春; 胡冬枝; 张翔九; 王迅
1997
发表期刊物理学报
期号9页码:5
其他摘要利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的X射线衍射技术,研究了活化剂Sb对于Ge在Si上外延过程的影响.当没有活化剂、Ge层厚度为6nm时,外延Ge层形成岛状,应力完全释放.当有Sb时、Ge在Si上的生长是二维的,并且应力释放是缓慢的,即使Ge外延层厚为6nm,仍有42%的应变没有弛豫.
关键词异质外延 Ge X射线衍射研究 表面活化剂 外延层 高能电子衍射 缓冲层 衍射技术 岛状 外延生长
项目资助者国家自然科学基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221580
专题多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
朱海军,蒋最敏,郑文莉,等. X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响[J]. 物理学报,1997(9):5.
APA 朱海军.,蒋最敏.,郑文莉.,姜晓明.,徐阿妹.,...&王迅.(1997).X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响.物理学报(9),5.
MLA 朱海军,et al."X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响".物理学报 .9(1997):5.
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