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硅中掺杂元素砷的三维微分析
其他题名THREE-DIMENSIONAL MICROANALYSIS OF ARSENIC IMPURITY IN SILICON
刘亚雯; 范钦敏; 吴应荣; 魏成连; 肖辉
1997
发表期刊光谱学与光谱分析
期号4页码:96-104
通讯作者刘亚雯
其他摘要用同步辐射X光微区分析和全反射X射线荧光分析技术测定了硅中掺杂元素砷浓度的三维分布。其中深度剖面分布的测定结果与二次离子质谱进行了对照,两者的一致性是比较满意的。
关键词同步辐射 全反射 三维分布
项目资助者国家自科学基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221546
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘亚雯,范钦敏,吴应荣,等. 硅中掺杂元素砷的三维微分析[J]. 光谱学与光谱分析,1997(4):96-104.
APA 刘亚雯,范钦敏,吴应荣,魏成连,&肖辉.(1997).硅中掺杂元素砷的三维微分析.光谱学与光谱分析(4),96-104.
MLA 刘亚雯,et al."硅中掺杂元素砷的三维微分析".光谱学与光谱分析 .4(1997):96-104.
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