| Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究 |
| 黎刚 ; 杨海强; 王俊; 崔明启
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| 1997
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| 发表期刊 | 电子显微学报
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| 期号 | 4页码:453-454 |
| 通讯作者 | 黎刚
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| 其他摘要 | 利用扫描遂道显微镜（ＳＴＭ）和Ｘ射线小角衍射（ＳＡＸＲＤ）研究了几种经常使用的直流磁控溅射条件（包括：Ａｒ气压强０６Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ、２００ｍＡ及Ａｒ气压强０４Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ三种条件）下所沉积的Ｍｏ单层薄膜的质量及相同溅射条件下不同溅射时间（３５ｓ到２２０ｓ）对成膜质量的影响。实验的结果表明：降低Ａｒ气压强提高溅射电流（即提高氩离子加速电压）都会使形成的薄膜更致密表面更光滑。相同条件下随沉积时间的增加，薄膜的晶粒线度随之增大，晶粒间界变得明显粗糙度变大。几乎所有的样品都观察到晶粒生长有明显的优先取向。用溅射沉积成膜的物理过程对以上结果作了解释 |
| 关键词 | 磁控溅射
Mo
STM
晶粒间
线度
界变
沉积时间
表面形貌
加速电压
粗糙度
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| 项目资助者 | 国家自然科学基金
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221537
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| 专题 | 多学科研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
黎刚,杨海强,王俊,等. Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究[J]. 电子显微学报,1997(4):453-454.
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| APA |
黎刚,杨海强,王俊,&崔明启.(1997).Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究.电子显微学报(4),453-454.
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| MLA |
黎刚,et al."Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究".电子显微学报 .4(1997):453-454.
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