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Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究
黎刚; 杨海强; 王俊; 崔明启
1997
发表期刊电子显微学报
期号4页码:453-454
通讯作者黎刚
其他摘要利用扫描遂道显微镜(STM)和X射线小角衍射(SAXRD)研究了几种经常使用的直流磁控溅射条件(包括:Ar气压强06Pa、溅射电流100mA、200mA及Ar气压强04Pa、溅射电流100mA三种条件)下所沉积的Mo单层薄膜的质量及相同溅射条件下不同溅射时间(35s到220s)对成膜质量的影响。实验的结果表明:降低Ar气压强提高溅射电流(即提高氩离子加速电压)都会使形成的薄膜更致密表面更光滑。相同条件下随沉积时间的增加,薄膜的晶粒线度随之增大,晶粒间界变得明显粗糙度变大。几乎所有的样品都观察到晶粒生长有明显的优先取向。用溅射沉积成膜的物理过程对以上结果作了解释
关键词磁控溅射 Mo STM 晶粒间 线度 界变 沉积时间 表面形貌 加速电压 粗糙度
项目资助者国家自然科学基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221537
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
黎刚,杨海强,王俊,等. Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究[J]. 电子显微学报,1997(4):453-454.
APA 黎刚,杨海强,王俊,&崔明启.(1997).Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究.电子显微学报(4),453-454.
MLA 黎刚,et al."Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究".电子显微学报 .4(1997):453-454.
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