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中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究
其他题名PSITRON LIFETIME STUDY OF THE RAPID ANNEALING BEHAVIOR OF NEUTRON IRRADIATED GaAs
刘键; 王佩璇; 王耘波; 王文华; 魏龙; 张天保
1997
发表期刊半导体
期号3页码:15-31
其他摘要用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘GaAs的快速退火行为。结果表明:辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。
关键词GaAs 中子辐照 正电子湮没技术 快速退火 空位缺陷
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221530
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
刘键,王佩璇,王耘波,等. 中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究[J]. 半导体,1997(3):15-31.
APA 刘键,王佩璇,王耘波,王文华,魏龙,&张天保.(1997).中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究.半导体(3),15-31.
MLA 刘键,et al."中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究".半导体 .3(1997):15-31.
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