金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜
孙力; 陈延峰; 于涛; 闵乃本; 姜晓明; 修立松
刊名物理学报
1996
期号10页码:8
关键词铁电薄膜 摇摆曲线 择优取向 重掺杂硅单晶 多晶薄膜 薄膜质量 钛酸铅 外延生长 铁电性能 化学计量比
其他题名PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF PbTiO3 THIN FILMS BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
中文摘要利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向的LaAlO3,SrTiO3和重掺杂硅单晶衬底上制备PbTiO3铁电薄膜,并通过X射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析.X射线θ-2θ扫描显示硅衬底上得到了PbTiO3多晶薄膜,另两种衬底上得到了择优取向的PbTiO3薄膜.LaAlO3衬底上的PbTiO3薄膜有a和c两个取向,也就是薄膜中存在着90°畴结构,而生长在SrTiO3衬底上的PbTiO3薄膜中只存在c方向的择优取向.由于薄膜的尺度效应,发现c轴晶格常数与块材相比均缩短.X射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性,利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质,进一步证明...
项目资助者国家高技术研究发展计划
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221507
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
孙力,陈延峰,于涛,等. 金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜[J]. 物理学报,1996(10):8.
APA 孙力,陈延峰,于涛,闵乃本,姜晓明,&修立松.(1996).金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜.物理学报(10),8.
MLA 孙力,et al."金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜".物理学报 .10(1996):8.
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