同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构
修立松; 姜晓明; 郑文莉; 卢学坤; 蒋最敏; 张翔九; 王迅
刊名科学通报
1996
期号4页码:312-314
关键词X射线衍射 同步辐射应用 δ掺杂
通讯作者修立松
中文摘要半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等材料生长技术的发展,新型的半导体材料如超晶格已经广泛地吸引了人们的注意。δ掺杂是近年来国际上出现的又一种新的结构,它可减少二维电子(空穴)气系统中的杂质离子散射,在科学和技术应用上都有重要意义。 δ掺杂样品中的杂质离子仅分布在几个纳米的尺度内,一些常用的结构成分分析方法难以进行检测。如Rutherford背散射(RBS)、中能离子散射(MEIS)只对浓度原子百分比大于10~(-2)%杂质敏感,而二次离子质谱(SIMS)的空间分辨一般为3μm左右。X射线是检测物质结构的有...
项目资助者中国科学院重大项目同步辐射实验方法应用”部分资助课题
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221489
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
修立松,姜晓明,郑文莉,等. 同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构[J]. 科学通报,1996(4):312-314.
APA 修立松.,姜晓明.,郑文莉.,卢学坤.,蒋最敏.,...&王迅.(1996).同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构.科学通报(4),312-314.
MLA 修立松,et al."同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构".科学通报 .4(1996):312-314.
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