用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP
黄懋容; 王蕴玉; 杨巨华; 韩玉杰; 孙同年
刊名核技术
1996
期号7页码:395-399
关键词正电子湮没 InP半导体
其他题名STUDY OF DOPED INP BY POSITRON ANNIHILATION LIFETIME TECHNIQUE
通讯作者黄懋容
中文摘要用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Sn的InP在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221481
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
黄懋容,王蕴玉,杨巨华,等. 用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP[J]. 核技术,1996(7):395-399.
APA 黄懋容,王蕴玉,杨巨华,韩玉杰,&孙同年.(1996).用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP.核技术(7),395-399.
MLA 黄懋容,et al."用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP".核技术 .7(1996):395-399.
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