IHEP OpenIR  > 多学科研究中心
掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
其他题名STUDY ON INP DOPED WITH SULPHUR AND UNDER DIFFERENT TEMPERATURES BY POSITRON ANNIHILATION
黄懋容; 王蕴玉; 杨巨华; 何永枢; 郭应焕; 孙同年
1996
发表期刊高能物理与核物理
期号12页码:6
通讯作者黄懋容
其他摘要用正电子湮设方法研究了掺硫的InP载流于浓度(n)、迁移率和温度对空位浓度的影响,并讨论了它们对空位浓度影响的机理.探讨了空位类型。
关键词正电子湮没 InP半导体 温度
项目资助者国家自然科学基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221453
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
黄懋容,王蕴玉,杨巨华,等. 掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究[J]. 高能物理与核物理,1996(12):6.
APA 黄懋容,王蕴玉,杨巨华,何永枢,郭应焕,&孙同年.(1996).掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究.高能物理与核物理(12),6.
MLA 黄懋容,et al."掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究".高能物理与核物理 .12(1996):6.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
3149.pdf(350KB)期刊论文作者接受稿限制开放CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[黄懋容]的文章
[王蕴玉]的文章
[杨巨华]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[黄懋容]的文章
[王蕴玉]的文章
[杨巨华]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[黄懋容]的文章
[王蕴玉]的文章
[杨巨华]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。