Synchrotron radiation study on structure of Sb 5-doped Si
Xiu LS(修立松); Jiang XM(姜晓明); Zheng WL(郑文莉); Lu XK(卢学坤); Jiang ZM(蒋最敏); Zhang XJ(张翔九); Wang X(王迅)
刊名Chinese Science Bulletin
1996
期号7页码:559-562
关键词X-ray diffraction synchrotron radiation applications δ-doped silicon.
通讯作者修立松
英文摘要The impurity-doping in semiconductors is the way to control their electroinc andphoto-electronic properties. The distribution and amount of the dopant affect their physi-cal properties. The development of the molecular beam epitaxy (MBE) and other epitaxytechniques has attracted full atttention ...
项目资助者Project spported partially by the major project "Applications of Experimental Synchrotron Radiation Methods" from Chinese Academy of Sciences.
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221440
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
Xiu LS,Jiang XM,Zheng WL,et al. Synchrotron radiation study on structure of Sb 5-doped Si[J]. Chinese Science Bulletin,1996(7):559-562.
APA 修立松.,姜晓明.,郑文莉.,卢学坤.,蒋最敏.,...&王迅.(1996).Synchrotron radiation study on structure of Sb 5-doped Si.Chinese Science Bulletin(7),559-562.
MLA 修立松,et al."Synchrotron radiation study on structure of Sb 5-doped Si".Chinese Science Bulletin .7(1996):559-562.
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