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Synchrotron radiation study on structure of Sb 5-doped Si
Xiu LS(修立松); Jiang XM(姜晓明); Zheng WL(郑文莉); Lu XK(卢学坤); Jiang ZM(蒋最敏); Zhang XJ(张翔九); Wang X(王迅)
1996
发表期刊Chinese Science Bulletin
期号7页码:559-562
通讯作者修立松
摘要The impurity-doping in semiconductors is the way to control their electroinc andphoto-electronic properties. The distribution and amount of the dopant affect their physi-cal properties. The development of the molecular beam epitaxy (MBE) and other epitaxytechniques has attracted full atttention ...
关键词X-ray diffraction synchrotron radiation applications δ-doped silicon.
项目资助者Project spported partially by the major project "Applications of Experimental Synchrotron Radiation Methods" from Chinese Academy of Sciences.
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221440
专题多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
Xiu LS,Jiang XM,Zheng WL,et al. Synchrotron radiation study on structure of Sb 5-doped Si[J]. Chinese Science Bulletin,1996(7):559-562.
APA 修立松.,姜晓明.,郑文莉.,卢学坤.,蒋最敏.,...&王迅.(1996).Synchrotron radiation study on structure of Sb 5-doped Si.Chinese Science Bulletin(7),559-562.
MLA 修立松,et al."Synchrotron radiation study on structure of Sb 5-doped Si".Chinese Science Bulletin .7(1996):559-562.
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