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同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究
谢常青; 陈梦真; 王玉玲; 孙宝银; 周生辉; 朱樟震
1995
发表期刊科学通报
期号21页码:2010-2012
其他摘要同步辐射X射线光刻自从被提出来以后,就日益引起了许多人的注意.它具有许多优点,比如高分辨率、大的工艺宽容度、高产量等,被普遍认为是一种很好的可应用于0.25μm以下的光刻技术.鉴于同步辐射X射线光刻技术在未来的光刻技术中所占的重要地位,我国光刻技术研究者于1990年在北京同步辐射装置(BSRF)3BIA束线上筹建了我国首座同步辐射X射线光刻站,并于1990年6月成功地进行了我国首次同步辐射X射线光刻实验.在同步辐射X射线光刻实验中,准确地选择曝光时间和曝光束流的乘积是很重要的(该乘积以下用XK来表示),因为它会直接影响到光刻胶的显影速率,从而影响到以下图形转换的质量.
关键词同步辐射X射线光刻 光刻胶显影模型 Marquardt法
项目资助者国家攀登”计划资助项目
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221409
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
谢常青,陈梦真,王玉玲,等. 同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究[J]. 科学通报,1995(21):2010-2012.
APA 谢常青,陈梦真,王玉玲,孙宝银,周生辉,&朱樟震.(1995).同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究.科学通报(21),2010-2012.
MLA 谢常青,et al."同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究".科学通报 .21(1995):2010-2012.
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