用同步辐射XRF和基本参数法分析
吴强; 刘亚雯; 魏成连
刊名核技术
1995
期号4页码:224-226
关键词基本参数法 同步辐射 X射线荧光分析
其他题名DETERMINATION OF IMPURITY Ge IN SILICON CRYSTAL BY SRXRF USING FUNDAMENTAL PARAMETER METHOD
通讯作者吴强
中文摘要利用同步辐射X荧光分析技术,采用基本参数法,定量分析了单晶硅中掺杂元素Ge的含量。程序用标样进行了检验,误差小于12%.
项目资助者国家自然科学基金,中国科学院八五”重点科研项目,中国科学院核分析技术开放实验室资助
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221398
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
吴强,刘亚雯,魏成连. 用同步辐射XRF和基本参数法分析[J]. 核技术,1995(4):224-226.
APA 吴强,刘亚雯,&魏成连.(1995).用同步辐射XRF和基本参数法分析.核技术(4),224-226.
MLA 吴强,et al."用同步辐射XRF和基本参数法分析".核技术 .4(1995):224-226.
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