Ar气压强对溅射沉积的W/Si多层膜界面粗糙度的影响
王凤平; 王佩璇; 崔明启; 方正知
刊名功能材料与器件学报
1995
期号1页码:53-57
关键词磁控溅射 多层膜 小角X-射线衍射 界面粗糙度
其他题名THE EFFECT OF Ar PRESSURE ON INTERFACIAL ROUGHNESS FOR W/Si MULTILAYERS
中文摘要本文用磁控溅射方法制备了不同Ar气压强下的W/Si多层薄膜,并用小角X-射线衍射方法分析了膜层的周期结构和界面粗糙度,发现随Ar气压强的增加界面粗糙度明显增加。文中对这一现象用成膜动力学理论进行了讨论。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221389
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
王凤平,王佩璇,崔明启,等. Ar气压强对溅射沉积的W/Si多层膜界面粗糙度的影响[J]. 功能材料与器件学报,1995(1):53-57.
APA 王凤平,王佩璇,崔明启,&方正知.(1995).Ar气压强对溅射沉积的W/Si多层膜界面粗糙度的影响.功能材料与器件学报(1),53-57.
MLA 王凤平,et al."Ar气压强对溅射沉积的W/Si多层膜界面粗糙度的影响".功能材料与器件学报 .1(1995):53-57.
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